Spezifische Anwendung von grünem Siliziumkarbid in der Glasfaser-Kommunikationsgeräteindustrie

Spezifische Anwendung von grünem Siliziumkarbid in der Glasfaserkommunikationsgeräteindustrie
Aufgrund seiner einzigartigen physikalischen und chemischen Eigenschaften wird grünes Siliziumkarbid hauptsächlich zur hochpräzisen Verarbeitung von Kernkomponenten und zur Herstellung von Halbleiterbauelementen in der Glasfaserkommunikationsgeräteindustrie verwendet. Die spezifischen Anwendungsszenarien sind wie folgt:
1. Unterstützung der Halbleiterbauelementherstellung
Präzisionsschleifen von Waferoberflächen
Grünes Siliziumkarbidpulver wird zum Schneiden und Schleifen von Halbleiterwafern (wie Silizium, Kaliumarsenid und Quarzkristallen) verwendet. Seine hohe Härte und präzise Partikelgrößenkontrolle können die beschädigte Schicht auf der Waferoberfläche wirksam entfernen und eine Ebenheit im Submikrometerbereich erreichen, wodurch die Grundlage für Prozesse wie Lithografie und Ätzen gelegt wird. Dies ist entscheidend für die Zuverlässigkeit optischer Chips und integrierter Schaltkreise in Glasfaserkommunikationsgeräten.
Substratverarbeitung elektronischer Komponenten
Hochreines grünes Siliziumkarbid kann als Halbleitermaterial verwendet werden, um elektronische Komponenten wie Dioden und Transistoren direkt herzustellen. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit und Stabilität verbessern die Leistung des Geräts bei der Hochgeschwindigkeitssignalverarbeitung und eignen sich zum Ansteuern von Schaltungen in optischen Modulen.
2. Optimierung der Verarbeitung von Glasfaserkomponenten
‌Polieren optischer Komponenten‌
Grünes Siliziumkarbidpulver wird zum hochpräzisen Polieren optischer Komponenten wie Glasfaser-Steckerendflächen, Linsen und Prismen verwendet. Durch die Kontrolle der Oberflächenrauheit reduziert es den Streuverlust optischer Signale und gewährleistet die geringen Übertragungsdämpfungseigenschaften der Glasfaserkommunikation.
‌Herstellung keramischer Strukturteile‌
In optischen Transceivermodulen wird grüne Siliziumkarbidkeramik aufgrund ihrer hohen Temperatur- und Korrosionsbeständigkeit als Lasergehäusebasis und Wärmeableitungskomponente verwendet, um die Signalstabilität in Hochtemperaturumgebungen zu gewährleisten.
3. Verbesserte Leistung von Kommunikationsgeräten.
Verbesserte Wärmeableitung von Hochfrequenzgeräten.
Grüne Siliziumkarbidsubstrate (z. B. halbisolierende SiC-Substrate) unterstützen das epitaktische Wachstum von Galliumnitrid (GaN) und werden zur Herstellung von Hochfrequenzgeräten wie HF-Leistungsverstärkern von 5G-Basisstationen verwendet. Ihre hohe Wärmeleitfähigkeit verbessert die Wärmeableitungseffizienz erheblich und reduziert Leistungseinbußen durch Überhitzung der Geräte.
Anwendung von Leistungsumwandlungsmodulen.
Grüne Siliziumkarbid-Leistungsbauelemente (wie SiC-MOSFETs) werden in Kommunikationsstromversorgungssystemen eingesetzt, um Energieverluste durch effiziente Energieumwandlung zu reduzieren und die Energieeffizienz von Einrichtungen wie Rechenzentren und Basisstationen zu verbessern.
Wichtige Merkmale und Branchenwert

Grünes Siliziumkarbid hat sich zu einem wichtigen Materialträger für die hohe Leistung und Miniaturisierung von Glasfaserkommunikationsgeräten entwickelt, indem es die Verarbeitungsgenauigkeit, die Wärmeableitungseffizienz und die Zuverlässigkeit der Kernkomponenten verbessert. Insbesondere in Szenarien wie 5G-Basisstationen und optischen Rechenzentrumsmodulen stehen seine technischen Vorteile in direktem Zusammenhang mit der Energieeffizienz des Systems und der Signalqualität.