Oxidationsbeständigkeit von Siliziumkarbid
Siliziumkarbid wird bei hohen Temperaturen in einem elektrischen Widerstandsofen hergestellt, wobei Quarzsand und Petrolkoks die Hauptrohstoffe sind. Seine Härte liegt zwischen der von geschmolzenem Aluminiumoxid und synthetischem Diamant. Seine mechanische Festigkeit ist höher als die von geschmolzenem Aluminiumoxid. Es ist spröde und scharf und weist bis zu einem gewissen Grad eine elektrische und thermische Leitfähigkeit auf.
Die wichtigste chemische Eigenschaft von Siliziumkarbid ist seine Oxidationsbeständigkeit. Wenn Siliziumkarbid in der Luft auf über 1000 °C erhitzt wird, oxidiert es nur an seiner Oberfläche und bildet einen Siliziumdioxidfilm, wodurch Siliziumkarbid bessere Eigenschaften aufweist. Antioxidative Eigenschaften. Bei 1300 °C beginnt Cristobalit im Siliziumdioxid der Dünnschicht auszufallen, und die Umwandlung der Kristallform führt dazu, dass die Dünnschicht reißt, wodurch die Oxidationsrate erhöht wird. Bei 1500 bis 1600 °C begrenzt die Verdickung der SiO2-Schicht den Oxidationseffekt, wodurch das SiC über einen langen Zeitraum stabil bei einer hohen Temperatur von 1600 °C verwendet werden kann.